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DRV5032FADBZT 货源充足，正在供货 ... DRV5032 器件是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器，专为最紧凑型和电池敏感型系统而设计。该器件提供了多种磁性阈值、采样率、输出驱动器和封装以适配各种应用。当施加的磁通密度超过 BOP 阈值时，器件会输出低电压。输出会保持低电压，直到磁通密度下降到BRP以下，随后输出将驱动高电压或变成高阻抗，具体取决于... 芯片信息     型号   DRV5032FADBZT 品牌   TI PDF   查看PDF文件 库存数量   10354 特性     Minqty   SOT-23 (DBZ) | 3 包装封装   250 | SMALL T&R 工作温度   -40 to 85 描述     DRV5032 器件是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器，专为最紧凑型和电池敏感型系统而设计。该器件提供了多种磁性阈值、采样率、输出驱动器和封装以适配各种应用。当施加的磁通密度超过 BOP 阈值时，器件会输出低电压。输出会保持低电压，直到磁通密度下降到BRP以下，随后输出将驱动高电压或变成高阻抗，具体取决于器件版本。通过集成内部振荡器，该器件对磁场进行采样，并以 20Hz 或 5Hz 的速率更新输出，以实现最低电流消耗。可提供全极和单极磁响应。此器件在 1.65V 至 5.5V 的 VCC 范围内工作，并采用标准的SOT-23、TO-92 和小型 X2SON 封装。   上一篇 LMT86LP Texas Instruments LMT86 和 LMT86-Q1 是精密 CMOS... Next article TMP235A4DBZT Texas Instruments TMP23x 器件是一系列精密 CMOS 集成...

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