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DRV5011ADDMRR 货源充足，正在供货 ... DRV5011 器件是一款数字锁存器霍尔效应传感器，专为电机和其他旋转系统而设计。此器件具有工作电压范围为 2.5V 至 5.5V 的高效低电压架构，采用标准 SOT-23 封装以及薄型 X2SON、DSBGA 和 TO-92 封装。输出端采用推挽驱动器，无需使用上拉电阻器，使系统更加紧凑小巧。当南磁极靠近封装顶部并且超出 BO... 芯片信息     型号   DRV5011ADDMRR 品牌   TI PDF   查看PDF文件 库存数量   18043 特性     Minqty   X2SON (DMR) | 4 包装封装   3,000 | LARGE T&R 工作温度   -40 to 135 描述     DRV5011 器件是一款数字锁存器霍尔效应传感器，专为电机和其他旋转系统而设计。此器件具有工作电压范围为 2.5V 至 5.5V 的高效低电压架构，采用标准 SOT-23 封装以及薄型 X2SON、DSBGA 和 TO-92 封装。输出端采用推挽驱动器，无需使用上拉电阻器，使系统更加紧凑小巧。当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时，该器件会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且超出 BRP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。器件在 ?40   上一篇 TMP235A2DBZR Texas Instruments TMP23x 器件是一系列精密 CMOS 集成... Next article TMP112BIDRLR Texas Instruments TMP112 系列器件是数字温度传感器，专为...

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