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DRV8106HQRHBRQ1 货源充足，正在供货 ... DRV8106-Q1 是一款高度集成式 半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动电流对... 芯片信息     型号   DRV8106HQRHBRQ1 品牌   TI PDF   查看PDF文件 库存数量   12770 特性     Minqty   VQFN (RHB) | 32 包装封装   3,000 | LARGE T&R 工作温度   -40 to 125 描述     DRV8106-Q1 是一款高度集成式 半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。它可使用集成式倍增电荷泵（针对高侧）和线性稳压器（针对低侧）生成合适的栅极驱动电压。该器件通过使用智能栅极驱动架构来降低系统成本并提高可靠性。栅极驱动器可优化死区时间以避免出现击穿问题，通过可调栅极驱动电流对减少电磁干扰 (EMI) 进行控制，而且可通过 VDS 和 VGS 监控器来防止漏源极和栅极短路问题。宽共模分流放大器具有内联电流感测功能，即使在再循环期间也可持续测量电机电流。如果不需要进行内联感测，放大器可用于低侧或高侧感测配置。 DRV8106-Q1 提供了一系列保护功能，可确保系统稳定运行。此类功能包括适用于电源和电荷泵的欠压和过压监控、适用于外部 MOSFET 的 VDS 过流和 VGS 栅极故障监控、离线开路负载和短路诊断，以及内部热警告和热关断保护功能。   上一篇 DRV3201QPAPRQ1 Texas Instruments 此桥式驱动器专门用于包括安全相关 应用在内... Next article DRV8873SPWPRQ1 Texas Instruments DRV8873-Q1 器件是用于驱动汽车应用中的...

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